中国半导体政策性大型企业紫光集团陷入经营破产。作为该公司高管、截至2021年领导用于信息存储的DRAM开发的是出身于美国德州仪器（TI），曾任尔必达存储器公司社长的坂本幸雄。包括与日美的比较在内，针对半导体领域的中国实力和日本加强竞争力的途径等，日本经济新闻（中文版：日经中文网）采访了坂本幸雄。
记者：中美对立是否对存储芯片业务产生了影响？
坂本幸雄：没有影响。因为存储芯片领域被排除在美国制裁对象之外。存储芯片一般被视为通用品，很难想象军事用途，没有制裁的战略性意义。
记者：如何评价中国半导体产业的实力？
坂本幸雄：中国占世界半导体生产的份额为15％。不过，其中美国英特尔等外资企业占6成，而中国企业的份额仅为4成。中国的课题是研发。肩负中国半导体产业发展的是台湾出身者，多为成品率改善等工序管理方面的技术人才。在从零开始创造价值的研发方面缺乏经验。
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在技术实力上领先的台积电（TSMC）和韩国三星电子保持了工序管理的工程师和研究开发的平衡。在听取客户的要求后确定半导体的功率等目标，开发电路设计和制造流程。
记者：中国与世界顶尖水平的差距有多大？
坂本幸雄：在DRAM领域处于中国顶尖水平的长鑫存储技术（CXMT）与三星相比落后4代左右。而在NAND闪存领域，据称中国顶尖的长江存储科技（YMTC）将启动（存储元件为）128层的量产，虽已启动192层的试生产，但制造的数量过少，达不到讨论竞争力的水平。
在运算用逻辑芯片领域，即使是中国顶尖的中芯国际（SMIC），产品的最细电路线宽也只是14纳米（纳米为10亿分之1米），这已是7、8年前的技术。世界顶尖的台积电正在开发2纳米的产品，差距并未缩小。
记者：如何评价中芯国际的竞争力？
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